中芯国际开发出0.11μm CMOS图像传感器的制造技术

2008-10-30 10:49:00 来源:日经BP社报道
资讯频道文章B

获悉,中国的中芯国际(SMIC)开发出了生产0.11μm CMOS图像传感器的工艺技术。其0.11μm工艺技术的布线层所用金属材料既可使用铝(Al)也可使用铜(Cu)。该公司已开始了0.11μm工艺技术的试生产,可采用200mm或300mm晶圆生产。


SMIC表示:“利用此次开发的工艺技术可以生产比此前分辨率更高、噪音更低和高对比度的CMOS传感器”。

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[责任编辑:ally]

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微光CMOS图像传感器读出电路设计

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当前固体微光器件以EBCCD及EMCCD器件为主,随着CMOS工艺及电路设计技术的发展,微光CMOS图像传感器的性能在不断提高,通过采用专项技术,微光CMOS图像传感器的性能已接近EMCCD的性能,揭开了CMOS图像传感器在微光领域应用的序幕。随着对微光CMOS图像传感器研究的进一步深入,在不远的未来,微光CMOS图像传感器的性能将达到夜视应用要求,在微光器件领域占据重要地位。

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