日前，美国美光科技宣布，与美国Sun Microsystems合作开发出可大幅延长面向企业的存储寿命，基于2值（single level cell）技术的NAND闪存技术（英文发布资料）。该技术可制造能擦写100万次的元件。由此，此前因擦写次数限制而不能使用的闪存便可用于企业。该技术适用于SSD、存储设备及网络装置等。
美光科技已开始样品供货使用该技术、最大32Gbit的企业用NAND闪存。预定2009年第一季度开始量产。并且，计划09年投放使用34nm工艺技术的企业用NAND闪存的2值产品和多值（multi level cell）产品。
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