海力士研发出40纳米级记忆体芯片

2009-02-13 08:58 阅读 2502 来源：中电网评论区

南韩海力士半导体公司（HynixSemiconductor）日前宣布，已使用最细微技术研发出全球密度最高记忆体芯片。海力士这种崭新的“DDR3DRAM”（DDR3动态随机存取记忆体）芯片采用的技术，能让内部线路相距仅40纳米，细微度是目前产品的1/5。

海力士表示，这项新产品的生产效率较现有芯片提升50%，因为比现有制程耗费更少能源和成本。海力士说，将从今年第三季开始量产。

海力士发言人说：“海力士成为成功应用40纳米级技术至DDR3DRAM芯片的全球首家厂商。研发出此新芯片，将有助于海力士在快速变迁的记忆体芯片市场继续维持领先地位。”

全球经济下滑严重打击记忆体芯片产业，由于全球需求剧跌，日本东芝公司（Toshiba）被迫减产，台湾多家主要厂商也寻求当局纾困。

凡文章来源标明“安防知识网”或“安全自动化”的文章著作权均为本站所有，禁止转载，除非取得了著作权人的书面同意且注明出处。违者本网保留追究相关法律责任的权利。

您可能也喜欢这些文章

参与评论

回复：

0/300

文明上网理性发言，评论区仅供其表达个人看法，并不表明a&s观点。

关于我们

a&s是国际知名展览公司——德国法兰克福展览集团旗下专业的自动化&安全生态服务平台，为智慧安防、智慧生活、智能交通、智能建筑、IT通讯&网络等从业者提供市场分析、技术资讯、方案评估、行业预测等，为读者搭建专业的行业交流平台。