据中国台湾媒体报道，集邦科技根据各NAND Flash供货商目前的制程技术、产能、营运状况分析指出，三星因拥有较大产能，同时制程持续转往42奈米及3x奈米，预期今年市占率40%以上居冠，日本东芝与美商SanDisk联盟的产能利用率略降，但制程技术也将转往43奈米及32奈米，预期东芝今年的市占率约在30%以上居次。

    集邦科技表示，市占率第3和第4名预期为美国的美光和英特尔，由于制程技术大量地转向34奈米，预计这2家公司今年的市占率提升至10%以上，而去年市占率第3的海力士，则因去年大幅减产8英寸产能，且今年的制程技术仍以4x奈米为主，因此估计市占率预期会在10%，排名下滑至第5名。

    由于去年NAND Flash面临供过于求，价格下滑的窘境，厂商纷纷宣部淘汰部分8英寸产能，暂缓扩充12英寸厂，或进行年度的岁修，集邦科技表示，目前各厂商均加速淘汰8 英寸厂产能，在12英寸厂方面，三星暂无增产计划，预期东芝及新帝阵营也维持保守态度。

    英特尔和美光2家公司合资成立的IM FlashTechnologies(简称IMFT)方面，集邦科技估计，今年维持12英寸厂产能不变，制程技术升级可望使产出增长，IMFT在新加坡的12英寸厂将延至2010年再决定是否运作，海力士今年只有少量12英寸厂产能生产高容量 MLC产品，因为近期财务资金较吃紧，目前还没有计划新增晶圆产能。

    再从营运方面分析，集邦科技表示，由于经济规模优势，三星的生产成本比同业更具竞争力，并规划增加更多电子系统厂的客户，以去化产能；东芝及新帝合资的总晶圆投片量略小于三星的水平，因此获利能力略低于三星。 

    在海力士减产后，IMFT的合资晶圆投片量虽然今年可望成为第三大阵营，但集邦科技表示，IMFT规模经济还没赶上前两大业者，因此今年将加速转进到34奈米制程，来改善成本优势与获利，未来以提高计算机系统厂商的应用为方向。

    至于海力士，在生产高容量产品的成本上较不具竞争力，因此去年下半年已大幅减产 8英寸产能，以降低损失，由于产出量已经缩小，未来将会寻求系统产品及利基市场的应用为主。