应用材料公司因应物联网 (IoT) 和云端运算所需的新记忆体技术，推出创新、用于大量制造的解决方案，有利于加快产业采纳新记忆体技术的速度。
现今的大容量记忆体技术包括 DRAM、SRAM 和快闪记忆体，这些技术是在数十年前发明，已广为数位装置与系统所採用。新型记忆体-尤其是 MRAM、ReRAM 与 PCRAM-提供独特的优点，但是这些记忆体所採用的新材料，同时为大量生产带来了相当程度的挑战。应用材料公司今日推出新的製造系统，能够以塬子级的精準度，进行新式材料的沉积，而这些新材料是生产前述新型记忆体的关键。应用材料公司推出了该公司迄今为止所开发过最先进的系统，让这些新型记忆体能够以工业级的规模稳定生产。
应用材料公司资深副总暨半导体产品事业群总经理帕布.若杰 (Prabu Raja) 博士表示：「今日所推出的新 Endura® 平台，是应用材料公司所创造过最精密的晶片制造系统。应用材料公司广泛的产品组合，为我们公司提供独特的能力，以整合多项的材料工程技术与内建量测技术，打造出至今才有办法实现的新型薄膜与结构。这些整合的平台说明新材料与 3D 结构如何扮演关键的角色，为运算产业提供全新的方式，以提升效能、减少耗能和改善成本。」
IBM 研究室半导体、AI 硬体与系统副总裁 Mukesh Khare 表示：「IBM 多年来一直带头致力于研发新型记忆体，而随着 AI 时代需要提升晶片的效能与效率，对这些新记忆体技术的需求也不断增加。新的材料与装置类型可以扮演重要的角色，实现物联网、云端与 AI 产品适用的高效能、低耗能嵌入式记忆体。应用材料公司的大量製造解决方案，有助于加快这些新型记忆体在整个产业的普及速度。」
SK 海力士先进技术薄膜事业群总监陈成坤表示：「改善资料中心的效率，是云端服务供应商与企业客户的重要优先任务。除了提供 DRAM 与 NAND 的持续创新，SK 海力士也率先开发新一代的记忆体，以协助大幅提升效率和降低耗电量。我们看重与应用材料公司的相互合作，加速开发新材料与大量製造技术，为具前景的新型记忆体而努力。」
威腾电子(Western Digital)研发副总裁Richard New 表示：「随着AI、机器学习与物联网的精进，工作量日趋资料密集与复杂，需要创新的记忆体技术方能有效率处理资料。应用材料公司所提供的重要技术，正可协助加速这些新兴的记忆体如MRAM、 ReRAM 和 PCRAM 的可行性。」
适用于物联网的 MRAM
电脑产业正在建构物联网，其中将会有数百亿个装置内建感测器、运算与通讯功能，用来监控环境、作决策和传送重要资讯到云端资料中心。在储存物联网装置的软体与 AI 演算法方面，MRAM (磁性随机存取记忆体) 是储存用记忆体的首选之一。
MRAM 採用硬碟机中常见的精緻磁性材料。MRAM本来就是快速且非挥发性，就算在失去电力的情况下，也能保存软体和资料。由于速度快与元件容忍度高，MRAM 最终可能做为第 3 级快取记忆体中 SRAM 的替代产品。MRAM 可以整合于物联网晶片设计的后端互连层，进而实现更小的晶粒尺寸，并降低成本。
应用材料的新 Endura® Clover™ MRAM 物理气相沉积 (PVD) 平台，是由 9 个独特的晶圆处理反应室组成，全都是在纯净、高真空的情况下完成整合。这是业界第一个大量生产用的 300 mm MRAM 系统，每个反应室可个别沉积最多 5 种不同的材料。MRAM 记忆体需经过至少 30 种不同材料层的精密沉积製程，其中某些材料层可能比人类的头髮还细微 50 万倍。製程中即使是厚薄度只有塬子直径一丁点的差异，就会对装置的效能与可靠性造成极大的影响。Clover MRAM PVD 平台包括内建量测功能，可以用次埃级 (sub-angstrom) 的灵敏度，在 MRAM 层产生时测量和监控其厚度，以确保塬子层级的均匀性，同时免除了暴露于外部环境的风险。
Spin Memory 公司执行长 Tom Sparkman 表示：「MRAM 是一种极为快速、元件容忍度高的非挥发性记忆体，有望在物联网与 AI 应用中，取代嵌入式快闪记忆体和第 3 级快取 SRAM。应用材料公司大量生产系统的推出，成为生态系统巨大的助力，我们很高兴能够与应用材料公司合作，提供 MRAM 解决方案并协助加快 MRAM 的採纳速度。」
云端中的 ReRAM 与 PCRAM
随着资料量产生呈现指数性遽增，云端资料中心也需要针对连结伺服器和储存系统的资料路径，达成这些路径在速度与耗电量方面的数量级效能提升。ReRAM (电阻式随机存取记忆体) 与 PCRAM (相变随机存取记忆体) 是快速、非挥发性、低功率的高密度记忆体，可以做为「储存级记忆体」，以填补伺服器 DRAM 与储存记忆体之间，不断扩大的价格与性能落差。
ReRAM 採用新材料製成，材料的作用类似于保险丝，可在数十亿个储存单元内选择性地形成灯丝，以表示资料。对照之下，PCRAM 则採用 DVD 光碟片中可找到的相变材料，并藉由将材料的状态从非晶态变成晶态，以进行位元的编程。类似于 3D NAND 记忆体，ReRAM 和 PCRAM 是以 3D 结构排列，而记忆体製造商可以在每一代的产品中加入更多层，以稳健地降低储存成本。ReRAM 与 PCRAM 也提供编程与电阻率中间阶段的可能性，让每个储存单元可以储存多个位元的资料。
相较于 DRAM，ReRAM 与 PCRAM 皆承诺未来可大幅降低成本，而且读取效能也比 NAND 和硬碟机快上许多。ReRAM 也是未来记忆体内运算架构的首要候选技术，能将运算元件整合于记忆体阵列中，以协助克服 AI 运算相关的资料移动瓶颈。
应用材料的 Endura® Impulse™ 物理气相沉积 (PVD) 平台适用于 PCRAM 与 ReRAM，包含最多 9 个在真空下进行整合的处理反应室及内建量测功能，能够以精密的方式进行沉积，以及控制这些新型记忆体中所使用的多成分材料。
Crossbar 公司执行长暨共同创办人 George Minassian 表示：「若要实现最高的装置效能、可靠性与耐久性，让 ReRAM 记忆体中所使用的新材料均匀地沉积，可说是至关重要。在与记忆体和逻辑客户的 ReRAM 技术合作中，我们指定使用应用材料公司的 Endura Impulse PVD 系统搭配内建量测功能，因为这样的组合可促进这些关键指标达成突破。」
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