艾迈斯半导体和思特威达成合作聚焦3D近红外(NIR)传感器产品研发

双方最初合作的重点将聚焦于3D近红外(NIR)传感器，用于人脸识别以及需要NIR范围高量子效率(QE)的应用(2D和3D)。

　　全球领先的高性能传感器解决方案供应商艾迈斯半导体(ams)与高性能CMOS图像传感器全球供应商思特威科技(SmartSensTechnology)近日宣布签署正式合作协议，双方将在图像传感器领域开展深入合作。

　　此次合作是艾迈斯半导体经营战略的有力补充，进一步扩展其主动立体视觉(ASV)、飞行时间(ToF)和结构光(SL)三种3D传感技术的产品组合，同时加快产品上市速度，推出更具差异化的系列新产品。为了加速满足移动设备对3D传感解决方案日益增长的需求，双方最初合作的重点将聚焦于3D近红外(NIR)传感器，用于人脸识别以及需要NIR范围高量子效率(QE)的应用(2D和3D)。

　　为加快客户产品上市，两家公司将合作开发3DASV参考设计，以支持在未来计划推出的130万像素堆叠BSI全局快门图像传感器，这款传感器的最先进QE高达40%(940nm)。这款NIR传感器是艾迈斯半导体3D照明产品的完美补充，扩展了艾迈斯半导体的3D产品组合，能够优化系统的整体性能。这款参考设计能够以极具竞争力的系统成本，为支付、人脸识别和增强现实/虚拟现实(AR/VR)应用提供高性能深度图。

　　“与思特威在图像传感器方面的合作，结合艾迈斯半导体业界领先的3D技术和电压阈全局快门核心IP，加速了客户的智能手机和其他设备(包括物联网应用)中3D主动立体视觉和结构光应用的产品上市时间。此次合作还将有助于加快新型汽车应用的上市时间，例如车内2D和3D传感，”艾迈斯半导体图像传感器解决方案执行副总裁StéphaneCurral说。

　　“我们很高兴与艾迈斯半导体合作，将我们在图像传感器和NIR技术方面的专业知识与艾迈斯半导体的3D专业知识和核心图像传感IP相结合。我们相信，强大技术和市场渠道的结合，将使我们能够为满足客户需求提供最佳的解决方案，”思特威首席营销官ChrisYiu表示。

艾迈斯半导体和思特威达成合作 聚焦3D近红外(NIR)传感器产品研发