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新款256GB西部数据TM iNANDTM AT EM132 嵌入式闪存盘采用64层3D NAND TLC闪存技术,产品生命周期超越了2D NAND,以满足不断变化的应用需求和不断增长的容量需求。
3D NAND技术使得用户能够获得更高的内置存储容量,从而支持其整个智能手机生命周期对数据的需求。
借助西部数据的64层3D NAND技术和先进的UFS与e.MMC接口技术,新型的智能iNAND® 8521和iNAND® 7550嵌入式闪存盘能够提供卓越的数据性能和高容量存储。
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